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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2020     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Electrical properties of Si and Be doped InSb and InAlSb/InSb superlattice applied to improve the doping efficiency 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2020, 卷号: 535, 页码: 125377 作者:  Haiyun Dong;  Yang Zhang;  Lijie Cui;  Min Guan;  Yiyang Li;  Zhanping Zhu;  Baoqiang Wang;  Yiping Zeng 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2021/11/01