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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2020     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Improved carrier confinement and stimulated recombination rate in GaN-based vertical-cavity surface-emitting lasers with buried p-AlGaN inversion layer 期刊论文 SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2020, 卷号: 146 作者:  Cui, Mei;  Gao, Yuanbin;  Hang, Sheng;  Qiu, Xuejiao;  Zhang, Yonghui 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2020/12/16 EFFICIENCY  TRANSPORT  MECHANISM  VCSELS