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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2019     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Scaling behaviour of state-to-state coupling during hole trapping at Si/SiO2 期刊论文 2019 IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PHYSICS SYMPOSIUM (IRPS), 2019, 卷号: 2019-March 作者:  Ma, Xiaolei;  Jiang, Xiangwei;  Chen, Jiezhi;  Wang, Liwei;  En, Yunfei 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/11 Charge trapping  Vacancy defect level  Coupling constant  Scaling  behavior