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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2019    专题：近代物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 SEE Sensitivity Evaluation for Commercial 16 nm SRAM-FPGA 期刊论文 ELECTRONICS, 2019, 卷号: 8, 期号: 12, 页码: 12 作者:  Cai, Chang;  Gao, Shuai;  Zhao, Peixiong;  Yu, Jian;  Zhao, Kai 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2022/01/19 field-programmable gate arrays  embedded block memory  single event  fault tolerance  radiation effect   Effects of total ionizing dose on single event effect sensitivity of FRAMs 期刊论文 MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2019, 卷号: 95, 页码: 1-7 作者:  Ji, Qinggang;  Liu, Jie;  Li, Dongqing;  Liu, Tianqi;  Ye, Bing 收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2019/11/10 Ferroelectric random access memory  Total ionizing dose  Single event effect  TCAD simulation   Heavy-Ion Induced Single Event Upsets in Advanced 65 nm Radiation Hardened FPGAs 期刊论文 ELECTRONICS, 2019, 卷号: 8, 期号: 3, 页码: 13 作者:  Ke, Lingyun;  Zhao, Peixiong;  Liu, Jie;  Fan, Xue;  Cai, Chang 收藏  |  浏览/下载：108/0  |  提交时间：2019/11/10 FPGA  radiation hardening  single event upsets  heavy ions  error rates