QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2019    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Carrier Redistribution Between Two Kinds of Localized States in the InGaN/GaN Quantum Wells Studied by Photoluminescence 期刊论文 NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2019, 卷号: 14, 页码: 88 作者:  Yao Xing ;   Degang Zhao ;   Desheng Jiang ;   Zongshun Liu ;   Jianjun Zhu ;   Ping Chen ;   Jing Yang ;   Feng Liang ;   Shuangtao Liu ;   Liqun Zhang 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2020/08/05 Suppression of optical field leakage in GaN-based green laser diode using graded-indium n-In x Ga 1-x N lower waveguide 期刊论文 Superlattices and Microstructures, 2019, 卷号: 132, 页码: 106153 作者:  Feng Liang ;   Degang Zhao ;   Desheng Jiang ;   Zongshun Liu ;   Jianjun Zhu ;   Ping Chen ;   Jing Yang ;   Shuangtao Liu ;   Yao Xing ;   Liqun Zhang 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/07/31 Influence of small indium content in quantum barriers on the luminescence properties of InGaN/InGaN double-quantum wells 期刊论文 Optical Materials Express, 2019, 卷号: 9, 期号: 10, 页码: 3941-3951 作者:  FENG LIANG ;   DEGANG ZHAO ;   DESHENG JIANG ;   ZONGSHUN LIU ;   JIANJUN ZHU ;   PING CHEN ;   JING YANG ;   LIQUN ZHANG 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2020/07/31