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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2019    专题：武汉大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 On-Demand Generation of Single Silicon Vacancy Defects in Silicon Carbide 期刊论文 ACS PHOTONICS, 2019, 卷号: 6, 期号: 7 作者:  Wang, Jun-Feng;  Li, Qiang;  Yan, Fei-Fei;  Liu, He;  Guo, Guo-Ping 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/12/05 silicon carbide  silicon vacancy  implantation  magnetic sensing  single photon sources   On-Demand Generation of Single Silicon Vacancy Defects in Silicon Carbide 期刊论文 ACS Photonics, 2019, 卷号: 6, 期号: 7 作者:  Wang, Jun-Feng;  Li, Qiang;  Yan, Fei-Fei;  Liu, He;  Guo, Guo-Ping 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/05 Nanoscale depth control of implanted shallow silicon vacancies in silicon carbide 期刊论文 Nanoscale, 2019, 卷号: 11, 期号: 43 作者:  Li, Qiang;  Wang, Jun-Feng;  Yan, Fei-Fei;  Cheng, Ze-Di;  Liu, Zheng-Hao 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/05