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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2019    专题：西安交通大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Impact of TID on latch up induced by pulsed irradiation in CMOS circuits 期刊论文 Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, 2019, 卷号: 440, 页码: 95-100 作者:  Li, Ruibin;  He, Chaohui;  Chen, Wei;  Li, Junlin;  Wang, Chenhui 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/11/19 Base recombination currents  Dose rate  Latch-ups  Oxide trapped charge  Pulsed irradiation  Shallow trench isolation  Surface recombinations  Total Ionizing Dose