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| 半导体器件制造方法 专利
专利号: CN201210497474.2, 申请日期: 2018-11-06, 公开日期: 2014-06-11
作者: 秦长亮; 王桂磊 ; 洪培真; 尹海洲; 殷华湘
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| 半导体器件制造方法 专利
专利号: CN201310269697.8, 申请日期: 2018-11-06, 公开日期: 2014-12-31
作者: 秦长亮; 徐强; 洪培真; 殷华湘; 尹海洲
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| 半导体器件制造方法 专利
专利号: CN201310309151.0, 申请日期: 2018-09-18, 公开日期: 2015-02-04
作者: 秦长亮; 尹海洲; 唐兆云; 李俊峰; 赵超
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| 一种具有高光催化效率和稳定性的光催化体系的制备方法 专利
申请日期: 2018-09-14, 公开日期: 2018-09-14
作者: 王泽岩; 李慧亮; 黄柏标; 张晓阳; 秦晓燕
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| 鳍式场效应晶体管及其源漏区的制造方法 专利
专利号: CN201410681974.0, 申请日期: 2018-09-11, 公开日期: 2016-06-22
作者: 秦长亮; 殷华湘; 李俊峰; 赵超
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| 鳍上外延沟道、鳍式场效应晶体管的制造方法 专利
专利号: CN201410681972.1, 申请日期: 2018-09-11, 公开日期: 2016-06-22
作者: 秦长亮; 殷华湘; 李俊峰; 赵超
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| 一种内延生长[100]取向TaON自支撑薄膜的制备方法 专利
申请日期: 2018-08-28, 公开日期: 2018-08-28
作者: 秦晓燕; 李慧亮; 王泽岩; 黄柏标; 张晓阳
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| 一种内延生长[153]取向Ta3N5自支撑薄膜的制备方法 专利
申请日期: 2018-08-17, 公开日期: 2018-08-17
作者: 黄柏标; 李慧亮; 王泽岩; 张晓阳; 秦晓燕
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| 堆叠纳米线MOS晶体管制作方法 专利
专利号: CN201210392511.3, 申请日期: 2018-07-31, 公开日期: 2014-04-16
作者: 殷华湘; 秦长亮; 付作振; 马小龙; 陈大鹏
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| 半导体器件制造方法 专利
专利号: CN201410454224.X, 申请日期: 2018-07-31, 公开日期: 2016-04-06
作者: 殷华湘; 秦长亮; 马小龙; 王桂磊; 朱慧珑
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