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上海技术物理研究所 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2017 [2]
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发表日期:2017
内容类型:期刊论文
专题:上海技术物理研究所
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Performance comparison between the InAs-based and GaSb-based type-II superlattice photodiodes for long wavelength infrared detection
期刊论文
OPTICS EXPRESS, 2017, 卷号: 25, 期号: 3, 页码: 1629-1635
作者:
Wang FF
;
Chen JX
;
Xu ZC
;
Zhou Y
;
He L
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提交时间:2018/11/20
High performance InAs/GaAsSb superlattice long wavelength infrared photo-detectors grown on InAs substrates
期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2017, 卷号: 32, 期号: 5
作者:
Xu ZC
;
Chen JX
;
Wang FF
;
Zhou Y
;
He L
收藏
  |  
浏览/下载:23/0
  |  
提交时间:2018/11/20
InAs/GaAsSb superlattices
InAs substrates
strain balance
quantum efficiency
detectivity
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