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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2017    内容类型：期刊论文    专题：安徽大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Study on the Effect of Upset and Recovery for SRAM Under the Varying Parameters of PMOS Transistor 期刊论文 JOURNAL OF ELECTRONICS & INFORMATION TECHNOLOGY, 2017, 卷号: Vol.39 No.11, 页码: 2755-2762 作者:  Yang Zhiping;  Wu Xiulong;  Ding Penghui;  Zhang Jingbo;  Peng Chunyu 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/04/22 SINGLE-EVENT UPSET  DEEP-N-WELL  CHARGE COLLECTION  CMOS TECHNOLOGY  SUBMICRON CMOS  DESIGN   Self-compared bit-line pairs for eliminating effects of leakage current 期刊论文 Electronics Letters, 2017, 卷号: Vol.53 No.21, 页码: 1396-1398 作者:  Li, Xuan;  Lin, Zhiting;  Wu, Xiulong;  Wang, Jinkai;  Zhang, Jingbo 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/04/22 A radiation harden enhanced Quatro (RHEQ) SRAM cell 期刊论文 IEICE ELECTRONICS EXPRESS, 2017, 卷号: Vol.14 No.18 作者:  Liu,Changyong;  Zhang,Jingbo;  Chen,Ziyang;  Peng,Chunyu;  Lin,Zhiting 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/04/22 LATCH DESIGN  TOLERANT  TECHNOLOGY  UPSET  SEU   A Pipeline Replica Bitline Technique for Suppressing Timing Variation of SRAM Sense Amplifiers in a 28-nm CMOS Process 期刊论文 IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS, IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS, 2017, 卷号: Vol.52 No.3, 页码: 669-677 作者:  Liu,Changyong;  Guan,Lijun;  Chen,Junning;  Li,Zhi;  Peng,Chunyu 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/04/24 DESIGN