QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2016    专题：上海应用物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 A new layered nano hybrid perovskite film with enhanced resistance to moisturee-induced degradation 期刊论文 CHEMICAL PHYSICS LETTERS, 2016, 卷号: 658, 页码: 71-75 作者:  Jiang, WL;  Ying, JF;  Zhou, W;  Shen, KC;  Liu, X 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2017/03/02 Molecular determinants of human neutralizing antibodies isolated from a patient infected with Zika virus 期刊论文 SCIENCE TRANSLATIONAL MEDICINE, 2016, 卷号: 8, 期号: 369, 页码: - 作者:  Wang, QH;  Yang, HB;  Liu, XQ;  Dai, LP;  Ma, T 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2017/03/02 Suppression of Structural Phase Transition in VO2 by Epitaxial Strain in Vicinity of Metal-insulator Transition 期刊论文 SCIENTIFIC REPORTS, 2016, 卷号: 6, 期号: -, 页码: — 作者:  Yang, MM;  Yang, YJ;  Hong, B;  Wang, LX;  Hu, K 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2016/09/12 DIOXIDE THIN-FILMS  VANADIUM DIOXIDE  MOTT TRANSITION  TIO2 001  SPECTROSCOPY  MODULATION  TEMPERATURE  DEVICES   Atomic-level insights in optimizing reaction paths for hydroformylation reaction over Rh/CoO single-atom catalyst 期刊论文 NATURE COMMUNICATIONS, 2016, 卷号: 7, 页码: - 作者:  Wang, LB;  Zhang, WB;  Wang, SP;  Gao, ZH;  Luo, ZH 收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2017/03/02 Study of SiGe selective epitaxial process integration with high-k and metal gate for 16/14 nm nodes FinFET technology 期刊论文 MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2016, 卷号: 163, 页码: 49-54 作者:  Wang, GL;  Qin, CL;  Yin, HX;  Luo, J;  Duan, NY 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2017/03/02 FinFET  SiGe selective epitaxy  RPCVD  High-k & metal gate