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| 一种具有不同深度沟槽的GaAs基激光器的制备方法 专利 专利号: CN106229812A, 申请日期: 2016-12-14, 公开日期: 2016-12-14 作者: 王金翠; 苏建; 徐现刚 收藏  |  浏览/下载:0/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| 一种LD模条与弹片快速装卸的工装 专利 专利号: CN205764803U, 申请日期: 2016-12-07, 公开日期: 2016-12-07 作者: 赵克宁; 汤庆敏; 徐现刚 收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2019/12/26 |
| 一种氮化镓基激光器外延结构及其生长方法 专利 专利号: CN106207754A, 申请日期: 2016-12-07, 公开日期: 2016-12-07 作者: 马旺; 王成新; 徐现刚 收藏  |  浏览/下载:0/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| 一种半导体激光器芯片的自对准烧结夹具 专利 专利号: CN205724363U, 申请日期: 2016-11-23, 公开日期: 2016-11-23 作者: 杨扬; 徐现刚; 夏伟; 李沛旭 收藏  |  浏览/下载:3/0  |  提交时间:2019/12/26 |
| 一种偏轴衬底用SiC晶体的生长及高电学均匀性的N型SiC衬底的制备方法 专利 申请日期: 2016-10-12, 公开日期: 2016-10-12 作者: 彭燕; 徐现刚; 陈秀芳; 胡小波 收藏  |  浏览/下载:2/0  |  提交时间:2020/01/04 |
| 一种半导体激光器的测试和老化装置及使用方法 专利 专利号: CN105988069A, 申请日期: 2016-10-05, 公开日期: 2016-10-05 作者: 杨扬; 孙素娟; 苏建; 江建民; 李沛旭 收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| 一种SiC衬底上可选择性单面生长石墨烯的方法 专利 申请日期: 2016-09-21, 公开日期: 2016-09-21 作者: 徐现刚; 陈秀芳; 张福生; 赵显 收藏  |  浏览/下载:1/0  |  提交时间:2020/01/04 |
| 一种光斑稳定的大功率半导体激光器 专利 专利号: CN205543688U, 申请日期: 2016-08-31, 公开日期: 2016-08-31 作者: 朱振; 张新; 徐现刚 收藏  |  浏览/下载:5/0  |  提交时间:2019/12/26 |
| 一种半导体激光器芯片的自对准烧结夹具及烧结方法 专利 专利号: CN105896307A, 申请日期: 2016-08-24, 公开日期: 2016-08-24 作者: 杨扬; 徐现刚; 夏伟; 李沛旭 收藏  |  浏览/下载:1/0  |  提交时间:2019/12/31 |
| 新型半导体激光器发光区台形结构 专利 专利号: CN205488995U, 申请日期: 2016-08-17, 公开日期: 2016-08-17 作者: 苏建; 朱振; 王金翠; 刘青; 徐现刚 收藏  |  浏览/下载:4/0  |  提交时间:2019/12/26 |