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| 一种高速信号自隔离装置 专利
专利号: CN201620302318.X, 申请日期: 2016-11-23,
作者: 曾传滨 ; 刘梦新; 韩郑生; 罗家俊; 倪涛
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| 半导体器件制造方法 专利
专利号: CN201210135041.2, 申请日期: 2016-09-21, 公开日期: 2013-10-30
作者: 陈大鹏; 李俊峰; 钟汇才; 赵超; 邓坚
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| 金属硅化物制造方法 专利
专利号: CN201210118972.1, 申请日期: 2016-09-21, 公开日期: 2013-10-30
作者: 赵超; 李俊峰; 罗军; 陈大鹏; 钟汇才
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| SOI MOS晶体管 专利
专利号: CN201210155387.9, 申请日期: 2016-08-31, 公开日期: 2012-09-12
作者: 韩郑生; 李莹; 毕津顺; 罗家俊
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| 多栅晶体管及其制造方法 专利
专利号: CN201110199673.0, 申请日期: 2016-08-17, 公开日期: 2013-01-16
作者: 李俊峰; 赵超; 罗军
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| 半导体器件制造方法 专利
专利号: CN201210134103.8, 申请日期: 2016-08-10, 公开日期: 2013-10-30
作者: 钟汇才; 李俊峰; 赵超; 邓坚; 罗军
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| 半导体器件制造方法 专利
专利号: CN201110391447.2, 申请日期: 2016-08-03, 公开日期: 2013-06-05
作者: 李俊峰; 罗军; 陈大鹏; 赵超; 钟汇才
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| 一种SOI MOS器件闪烁噪声的测试设备及测试方法 专利
专利号: CN201410031166.X, 申请日期: 2016-07-06, 公开日期: 2014-05-14
作者: 韩郑生; 曾传滨; 毕津顺; 卜建辉; 李书振
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| 一种板级系统局部芯片辐照装置 专利
专利号: CN201520435645.8, 申请日期: 2016-06-15,
作者: 高博; 刘刚; 罗家俊; 赵发展; 刘梦新
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| 半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201110159506.3, 申请日期: 2016-03-30, 公开日期: 2012-12-19
作者: 钟汇才; 罗军; 赵超; 李俊峰
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