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浏览/检索结果: 共17条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2015    专题：安徽大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Comparison of microstructure and electrical characteristics of sputtering-derived HfGdO/HfTiO and HfTiO/HfGdO gate stacks 期刊论文 Ceramics International, 2015, 卷号: Vol.41 No.8, 页码: 10216-10221 作者:  Lv,J. G.;  Zhang,J. W.;  Sun,Z. Q.;  Liu,M.;  Ma,R. 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/04/22 THIN-FILM-TRANSISTOR  DEPOSITION  HFO2  DIELECTRICS  MECHANISMS  DEVICES  LAYER   Modulation of charge trapping and current-conduction mechanism of TiO2-doped HfO2 gate dielectrics based MOS capacitors by annealing temperature 期刊论文 Journal of Alloys and Compounds, 2015, 卷号: Vol.647, 页码: 1054-1060 作者:  X.F. Chen;  Z.Q. Sun;  H.S. Chen;  J.W. Zhang;  R. Ma 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/04/22 High-k  gate  dielectrics  TiO-doped  HfO  Puttering  Current-conduction  mechanism   Composition dependent interfacial thermal stability, band alignment and electrical properties of Hf1−xTixO2/Si gate stacks 期刊论文 Applied Surface Science, 2015, 卷号: Vol.346, 页码: 489-496 作者:  Liu,Y. M.;  Zhang,J. W.;  Chen,X. S.;  Sun,Z. Q.;  Chen,H. S. 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/04/22 HFO2 THIN-FILMS  MOS CAPACITORS  OXIDE-FILMS  OPTICAL-PROPERTIES  TI  DEPOSITION  DIELECTRICS  SILICON  MICROSTRUCTURE  TEMPERATURE   Determination of optical constant and electrical properties of sputtering-derived HfTiON gate dielectrics 期刊论文 Journal of Alloys and Compounds, 2015, 卷号: Vol.646, 页码: 10-15 作者:  Z.Q. Sun;  H.S. Chen;  Y.M. Liu;  J.W. Zhang;  P.H. Wang 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/04/22 HfTiON  films  Nitrogen  concentration  Electrical  properties  Leakage  current  density   Substrate temperature dependent structural, optical and electrical properties of amorphous InGaZnO thin films 期刊论文 Journal of Alloys and Compounds, 2015, 卷号: Vol.632, 页码: 533-539 作者:  X.F. Chen;  J.W. Zhang;  B. Deng;  G. He;  D.Q. Xiao 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/04/22 Amorphous  InGaZnO  films  Substrate  temperature  Optical  and  electrical  properties  Sputtering   Effects of boron incorporation on the structural, optical and electrical properties of sol–gel-derived ZrO2 gate dielectrics. 期刊论文 Journal of Alloys & Compounds, 2015, 卷号: Vol.649, 页码: 1273-1279 作者:  Jin,P.;  Sun,Z.Q.;  Zhang,M.;  Zheng,C.Y.;  Chen,X.F. 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/04/22 Boron  incorporation  Conduction  mechanisms  Electrical  properties  High-k  gate  dielectrics  Optical  constant  Sol–gel   Modulation of microstructure and optical properties of Mo-doped ZnO thin films by substrate temperature. 期刊论文 Materials Research Bulletin, 2015, 卷号: Vol.65, 页码: 7-13 作者:  Liu,Y. M.;  Zhang,J. W.;  Chen,X. S.;  Li,T. S.;  Sun,Z. Q. 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/04/22 PULSED-LASER DEPOSITION  ROOM-TEMPERATURE  ELECTRICAL-PROPERTIES  ZINC-OXIDE  FERROMAGNETISM  MOLYBDENUM  GROWTH  CO  PHOTOLUMINESCENCE  DEPENDENCE   Band offsets in HfTiO/InGaZnO4 heterojunction determined by X-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文 Journal of Alloys and Compounds, 2015, 卷号: Vol.642, 页码: 172-176 作者:  J.G. Lv;  X.F. Chen;  Z.Q. Sun;  Y.M. Liu;  K.R. Zhu 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/04/22 Band  offset  HfTiO/InGaZnO  heterojunction  X-ray  photoelectron  spectroscopy  Thin  film  transistors   Optimized decoherence suppression of two qubits in independent non-Markovian environments using weak measurement and quantum measurement reversal 期刊论文 Quantum information processing, 2015, 卷号: Vol.14 No.2 作者:  J Song;  L;  S He;  Xu;  JD Ye 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/04/22 EXPERIMENTAL ENTANGLEMENT DISTILLATION  FREE SUBSPACES  TELEPORTATION  PURIFICATION  COMPUTATION  INFORMATION  STATES   Online adaptive optimal control for continuous-time Markov jump linear systems using a novel policy iteration algorithm 期刊论文 Control Theory & Applications, IET, 2015, 卷号: Vol.9 No.10, 页码: 1536-1543 作者:  Liu, F.;  He, S.;  Ding, Z.;  Song, J. 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/04/22