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科研机构
上海大学 [5]
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期刊论文 [5]
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2015 [5]
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发表日期:2015
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Effect of hafnium doping on density of states in dual-target magnetron co-sputtering HfZnSnO thin film transistors
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2015, 卷号: 107
作者:
Huang, Chuan-Xin[1]
;
Li, Jun[2]
;
Fu, Yi-Zhou[3]
;
Zhang, Jian-Hua[4]
;
Jiang, Xue-Yin[5]
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2019/04/26
Temperature stress on a thin film transistor with a novel BaZnSnO semiconductor using a solution process
期刊论文
RSC ADVANCES, 2015, 卷号: 5, 页码: 9621-9626
作者:
Li, Jun[1]
;
Huang, Chuan-Xin[2]
;
Zhang, Jian-Hua[3]
;
Zhu, Wen-Qing[4]
;
Jiang, Xue-Yin[5]
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2019/04/26
Characterization of novel BaZnSnO thin films by solution process and applications in thin film transistors
期刊论文
MATERIALS RESEARCH BULLETIN, 2015, 卷号: 68, 页码: 22-26
作者:
Li, Jun[1]
;
Huang, Chuan-Xin[2]
;
Zhang, Jian-Hua[3]
;
Zhu, Wen-Qing[4]
;
Jiang, Xue-Yin[5]
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/04/26
Amorphous materials
Sol-gel chemistry
Electrical properties
Origin of the improved stability under negative gate-bias illumination stress in various sputtering power fabricated ZnSnO TFTs
期刊论文
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2015, 卷号: 88, 页码: 426-433
作者:
Huang, Chuan-Xin[1]
;
Li, Jun[2]
;
Fu, Yi-Zhou[3]
;
Zhang, Jian-Hua[4]
;
Jiang, Xue-Yin[5]
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提交时间:2019/04/30
ZnSnO TFTs
rf sputtering power
ALD Al2O3
Negative gate-bias illumination stability
Temperature-dependent field-effect measurements method to illustrate the relationship between negative bias illumination stress stability and density of states of InZnO-TFTs with different channel layer thickness
期刊论文
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2015, 卷号: 83, 页码: 367-375
作者:
Huang, Chuan-Xin[1]
;
Li, Jun[2]
;
Ding, Xing-Wei[3]
;
Zhang, Jian-Hua[4]
;
Jiang, Xue-Yin[5]
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提交时间:2019/04/30
Transistor
Illumination stability
Temperature-dependent field-effect measurements method
DOSs
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