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| 复合存储单元与存储器 专利
专利号: CN201110046327.9, 申请日期: 2015-08-19, 公开日期: 2012-08-29
作者: 霍宗亮 ; 谢常青; 刘璟; 王琴; 李冬梅
  收藏 | 浏览/下载：15/0 | 提交时间：2016/10/25 |
| 多功能存储单元、阵列及其制造方法 专利
专利号: CN201110122303.7, 申请日期: 2015-06-10, 公开日期: 2012-11-14
作者: 许中广; 霍宗亮; 谢常青; 龙世兵; 张满红
收藏 | 浏览/下载：11/0 | 提交时间：2016/04/13 |
| Methodology for stability evaluation on the multi-level storages of oxide-based conductive bridge RAM (CBRAM) 会议论文
作者: Zhang MY(张美芸); Lv HB(吕杭炳); Liu M(刘明); Liu HT(刘红涛); Xu XX(许晓欣)
收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2016/06/14 |
| Degradation of Gate Voltage Controlled Multilevel Storage in One Transistor One Resistor Electrochemical Metallization Cell 期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2015
作者: Xu XX(许晓欣); Lv HB(吕杭炳); Liu HT(刘红涛); Long SB(龙世兵); Liu Q(刘琦)
收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2016/05/24 |
| 阻变存储器及其制造方法 专利
专利号: CN201110075379.9, 申请日期: 2015-03-04, 公开日期: 2012-10-03
作者: 余兆安; 王明; 张满红; 霍宗亮; 谢常青
收藏 | 浏览/下载：12/0 | 提交时间：2016/09/21 |
| Improving resistance uniformity and endurance of resistive switching memory by accurately controlling the stress time of pulse program operation 期刊论文
Appl. Phys. Lett., 2015
作者: Xu DL(许定林); Wang GM(王国明); Long SB(龙世兵); Yu ZA(余兆安); Zhang MY(张美芸)
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2016/05/24 |
| Investigation of LRS dependence on the retention of HRS in CBRAM 期刊论文
Nanoscale Research Letters, 2015
作者: Lv HB(吕杭炳); Xu XX(许晓欣); Liu HT(刘红涛); Luo Q(罗庆); Gong TC(龚天成)
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2016/05/24 |
| Impact of program/erase operation on the performances of oxide-based resistive switching memory 期刊论文
Nanoscale Research Letters, 2015
作者: Wang GM(王国明); Long SB(龙世兵); Yu ZA(余兆安); Zhang MY(张美芸); Li Y(李阳)
收藏 | 浏览/下载：9/0 | 提交时间：2016/05/24 |
