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科研机构
微电子研究所 [8]
内容类型
会议论文 [4]
期刊论文 [4]
发表日期
2015 [8]
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发表日期:2015
专题:微电子研究所
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INVESTIGATION OF THE FORMING PROGRAM FAILTURE IN ITIR STRUCTURE
会议论文
作者:
Liu M(刘明)
;
Long SB(龙世兵)
;
Wang GM(王国明)
;
Zhang MY(张美芸)
;
Liu HT(刘红涛)
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2016/06/14
A Physical Model for the Statistics of the Set Switching Time of Resistive RAM Measured with the Width-Adjusting Pulse Operation Method
期刊论文
IEEE Electron Device Letters, 2015
作者:
Zhang MY(张美芸)
;
Yu ZA(余兆安)
;
Li Y(李阳)
;
Xu DL(许定林)
;
Lv HB(吕杭炳)
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2016/05/24
Justification and Monte Carlo simulation of microstructure evolution process of conductive filament in reset transition in Cu/HfO2/Pt RRAM
会议论文
作者:
Liu Q(刘琦)
;
Xu XX(许晓欣)
;
Zhang MY(张美芸)
;
Wang GM(王国明)
;
Liu M(刘明)
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2016/06/14
Improving the Resistive Switching Reliability via controlling the resistance states of RRAM
会议论文
作者:
Liu M(刘明)
;
Liu Q(刘琦)
;
Lv HB(吕杭炳)
;
Xu DL(许定林)
;
Xu XX(许晓欣)
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2016/06/14
Methodology for stability evaluation on the multi-level storages of oxide-based conductive bridge RAM (CBRAM)
会议论文
作者:
Zhang MY(张美芸)
;
Lv HB(吕杭炳)
;
Liu M(刘明)
;
Liu HT(刘红涛)
;
Xu XX(许晓欣)
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2016/06/14
Improving resistance uniformity and endurance of resistive switching memory by accurately controlling the stress time of pulse program operation
期刊论文
Appl. Phys. Lett., 2015
作者:
Xu DL(许定林)
;
Wang GM(王国明)
;
Long SB(龙世兵)
;
Yu ZA(余兆安)
;
Zhang MY(张美芸)
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2016/05/24
Investigation of LRS dependence on the retention of HRS in CBRAM
期刊论文
Nanoscale Research Letters, 2015
作者:
Lv HB(吕杭炳)
;
Xu XX(许晓欣)
;
Liu HT(刘红涛)
;
Luo Q(罗庆)
;
Gong TC(龚天成)
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2016/05/24
Impact of program/erase operation on the performances of oxide-based resistive switching memory
期刊论文
Nanoscale Research Letters, 2015
作者:
Wang GM(王国明)
;
Long SB(龙世兵)
;
Yu ZA(余兆安)
;
Zhang MY(张美芸)
;
Li Y(李阳)
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2016/05/24
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