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浏览/检索结果: 共13条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2015    专题：苏州纳米技术与纳米仿生研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 A modified structure with asymmetric and doping barrier interlayers of GaAs-based laser diodes with both small vertical divergence angle and low threshold current 期刊论文 SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2015, 卷号: 80, 页码: 7 作者:  Li, X;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P;  Liu, ZS 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2015/12/31 GaAs laser diodes  Threshold current  Divergence angle   Localization effect in green light emitting InGaN/GaN multiple quantum wells with varying well thickness 期刊论文 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2015, 卷号: 625, 页码: 5 作者:  Liu, W;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P;  Liu, ZS 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2015/12/31 Nitride materials  Crystal growth  Photoluminescence  Multiple quantum wells  Localization states  Green light   Temperature dependence of photoluminescence spectra for green light emission from InGaN/GaN multiple wells 期刊论文 OPTICS EXPRESS, 2015, 卷号: 23, 期号: 12, 页码: 9 作者:  Liu, W;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P;  Liu, ZS 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2015/12/31 Influence of a deep-level-defect band formed in a heavily Mg-doped GaN contact layer on the Ni/Au contact to p-GaN 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2015, 卷号: 24, 期号: 9, 页码: 5 作者:  Li,XJ;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P;  Zhu, JJ 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2015/12/31 ohmic contact  p-type GaN  transportation mechanism  deep-level-defect band   Study on photoluminescence properties of 1.05 eV InGaAsP layers grown by molecular beam epitaxy 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2015, 卷号: 64, 期号: 17, 页码: 7 作者:  Yang, WX(杨文献);  Ji, L(季莲);  Dai, P(代盼);  Tan, M(谭明);  Wu, YY(吴渊源) 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2015/12/31 InGaAsP  molecular beam epitaxy  photoluminescence  carrier luminescence relaxation time   Utilization of polarization-inverted AlInGaN or relatively thinner AlGaN electron blocking layer in InGaN-based blue-violet laser diodes 期刊论文 JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2015, 卷号: 33, 期号: 1, 页码: 5 作者:  Le, LC;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P;  Liu, ZS 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2015/12/31 Optical and structural characteristics of high indium content InGaN/GaN multi-quantum wells with varying GaN cap layer thickness 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2015, 卷号: 117, 期号: 5, 页码: 6 作者:  Yang, J;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P;  Zhu, JJ 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2015/12/31 Growth condition optimization and mobility enhancement through prolonging the GaN nuclei coalescence process of AlGaN/AlN/GaN structure 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2015, 卷号: 24, 期号: 9, 页码: 4 作者:  He, XG;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Zhu, JJ;  Chen, P 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2015/12/31 high electron mobility transistor  two-dimensional electron gas  GaN   Thin film micro-scaled cold cathode structures of undoped and Si-doped AlN grown on SiC substrate with low turn-on voltage 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2015, 卷号: 24, 期号: 5, 页码: 5 作者:  Shi, M;  Chen, P;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Zheng, J 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2015/12/31 AlN  field emission  cold cathode  negative electron affinity   N-Type Conjugated Polymer-Enabled Selective Dispersion of Semiconducting Carbon Nanotubes for Flexible CMOS-Like Circuits 期刊论文 ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS, 2015, 卷号: 25, 期号: 12, 页码: 8 作者:  Wang, HL;  Li, YX;  Jimenez-Oses, G;  Liu, P;  Fang, Y 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2015/12/31 ambipolarity  carbon nanotubes  flexible circuits  n-type polymers  sorting