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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2014     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 High Mobility Solution-Processed Hafnium Indium Zinc Oxide TFT With an Al-Doped ZrO2 Gate Dielectric 期刊论文 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2014, 卷号: 35, 页码: 554-556 作者:  Gao, Yana[1];  Li, Xifeng[2];  Chen, Longlong[3];  Shi, Jifeng[4];  Sun, Xiao Wei[5] 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/04/30 Al-doped ZrO2  amorphrous  high mobility  solution  thin film transistor (TFT)   Manifold latent probabilistic optimization for human motion fitting based on orthogonal subspace searching (EI收录) 期刊论文 Journal of Information and Computational Science, 2014, 卷号: 11, 页码: 5357-5365 作者:  Li, Wanyi[1];  Sun, Jifeng[1];  Song, Zhiguo[1] 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/04/25 Effect of annealing and gate insulator material changing on the performances of IGZO-TFT 会议论文 APPLIED MECHANICS, MATERIALS AND MANUFACTURING IV, 2014-08-23 作者:  Shi Jifeng[1];  Chen Longlong[2];  Sun Xiang[3] 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/04/30 Thin Film Transistor  Indium-gallium-zinc oxide  insulator   Observation of e+e- → γx(3872) at BESIII 期刊论文 Physical Review Letters, 2014, 卷号: 112, 期号: 9 作者:  Ablikim, Medina N./35226931500[0];  Achasov, M. N./7003450501[1];  Ai, Xiaocong/55770747000[2];  Albayrak, O./57084398500[3];  Ambrose, D. J./56999995000[4] 收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2019/12/06