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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2013    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Determination of polar C-plane and nonpolar A-plane AlN-GaN heterojunction band offsets by X-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文 physica status solidi (b), 2013, 卷号: 1, 期号: 4 Huijie Li, Xianglin Liu, Ling Sang, Jianxia Wang, Dongdong Jin, Heng Zhang, Shaoyan Yang, Shuman Liu, Wei Mao, Yue Hao, Qinsheng Zhu, Zhanguo Wang 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2014/03/17 Scattering due to Schottky barrier height spatial fluctuation on two dimensional electron gas in AlGaN-GaN high electron mobility transistors 期刊论文 applied physics letters, 2013, 卷号: 103, 期号: 23, 页码: 232109 Li, Huijie; Liu, Guipeng; Wei, Hongyuan; Jiao, Chunmei; Wang, Jianxia; Zhang, Heng; Dong Jin, Dong; Feng, Yuxia; Yang, Shaoyan; Wang, Lianshan; Zhu, Qinsheng; Wang, Zhan-Guo 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2014/03/17 Numerical study of radial temperature distribution in the AlN sublimation growth system 期刊论文 crystal research and technology, 2013, 卷号: 48, 期号: 5, 页码: 321-327 Li, Huijie; Liu, Xianglin; Feng, Yuxia; Wei, Hongyuan; Yang, Shaoyan 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2013/08/27