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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2012    专题：苏州纳米技术与纳米仿生研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effect of In incorporation parameters on the electroluminescence of blue-violet InGaN/GaN multiple quantum wells grown by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 Journal of Alloys and Compounds, 2012, 卷号: 540, 期号: 11, 页码: 46-48 作者:  Hui Yang (杨辉);  S.M. Zhang(张书明) 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2013/01/22 Nitride materials  Crystal growth  X-ray diffraction   Distribution of electric field and design of devices in GaN avalanche photodiodes 期刊论文 Science China-Physics Mechanics & Astronomy, 2012, 卷号: 55, 期号: 4, 页码: 619-624 作者:  Baoshun Zhang (张宝顺);  ShuMing Zhang;  Hui Yang (杨辉) 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2013/01/22 GaN  avalanche photodiodes  distribution of electric field