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浏览/检索结果: 共11条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2012    内容类型：其他    专题：北京大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Supercritical super-Brownian motion with a general branching mechanism and travelling waves 其他 2012-01-01 Kyprianou, A. E.; Liu, R.L.; Murillo-Salas, A.; Ren, Y.X. 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/11/16 Superprocesses  N-measure  Spine decomposition  Additive martingale  Derivative martingale  Travelling waves  EXIT MARKOV SYSTEMS  DIFFERENTIAL-EQUATIONS  NONLINEAR DIFFUSION  EXPONENTIAL-GROWTH  PARTICLE-SYSTEMS  SUPERPROCESSES  MARTINGALES  EXTINCTION  KOLMOGOROV  BEHAVIOR   Nanoscale observations of resistive switching high and low conductivity states on TiN/HfO2/Pt structures 其他 2012-01-01 Iglesias, V.; Lanza, M.; Bayerl, A.; Porti, M.; Nafria, M.; Aymerich, X.; Liu, L. F.; Kang, J. F.; Bersuker, G.; Zhang, K.; Shen, Z. Y. 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2015/11/12 ATOMIC-FORCE MICROSCOPY  TIO2 THIN-FILMS  SIO2-FILMS   High-�� gate dielectrics for Ge CMOS and related memory devices 其他 2012-01-01 Chin, Albert; Chen, P.C.; Cheng, C.H.; Wu, Y.H.; Liu, X.Y.; Kang, J.F. 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/17 Improvement of Endurance Degradation for Oxide Based Resistive Switching Memory Devices Correlated With Oxygen Vacancy Accumulation Effect 其他 2012-01-01 Lu, Y.; Chen, B.; Gao, B.; Fang, Z.; Fu, Y. H.; Yang, J. Q.; Liu, L. F.; Liu, X. Y.; Yu, H. Y.; Kang, J. F. 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2015/11/13 hafnium oxide  nonvolatile memory  endurance  conductive filament  oxygen vacancy  RRAM   Multilevel Set/Reset Switching Characteristics in Al/CeOx/Pt RRAM Devices 其他 2012-01-01 Liu, L. F.; Hou, Y.; Yu, D.; Chen, B.; Gao, B.; Tian, Y.; Han, D. D.; Wang, Y.; Kang, J. F.; Zhang, X. 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/11/13 multilevel resistive switching  RRAM  CeOx   A Physical Based Analytic Model of RRAM Operation for Circuit Simulation 其他 2012-01-01 Huang, P.; Liu, X. Y.; Li, W. H.; Deng, Y. X.; Chen, B.; Lu, Y.; Gao, B.; Zeng, L.; Wei, K. L.; Du, G.; Zhang, X.; Kang, J. F. 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/11/13 Oxide-Based RRAM: A Novel Defect-Engineering-Based Implementation For Multilevel Data Storage 其他 2012-01-01 Kang, J. F.; Gao, B.; Chen, B.; Liu, L. F.; Liu, X. Y.; Yu, H. Y.; Wang, Z. R.; Yu, B. 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/13 Resistive switching memory (RRAM)  multilevel data storage  defect-engineering   Rectifying characteristics and implementation of n-Si/HfO2 based devices for 1D1R-based cross-bar memory array 其他 2012-01-01 Zhang, F.F.; Huang, P.; Chen, B.; Yu, D.; Fu, Y.H.; Ma, L.; Gao, B.; Liu, L.F.; Liu, X.Y.; Kang, J.F. 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/11/13 Co-existed unipolar and bipolar resistive switching effect of HfO x-based RRAM 其他 2012-01-01 Chen, B.; Gao, B.; Fu, Y.H.; Liu, R.; Ma, L.; Huang, P.; Zhang, F.F.; Liu, L.F.; Liu, X.Y.; Kang, J.F.; Lian, G.J. 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/11/13 Self-compliance unipolar resistive switching and mechanism of Cu/SiO 2/TiN RRAM devices 其他 2012-01-01 Yu, D.; Liu, L.F.; Huang, P.; Zhang, F.F.; Chen, B.; Gao, B.; Hou, Y.; Han, D.D.; Wang, Y.; Kang, J.F.; Zhang, X. 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/11/13