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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 发表日期：2011     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 EARLY EFFECTS OF LOW DOSE C-12(6+) ION OR X-RAY IRRADIATION ON PERIPHERAL BLOOD LYMPHOCYTES OF PATIENTS WITH ALIMENTARY TRACT CANCER 期刊论文 DOSE-RESPONSE, 2011, 卷号: 9, 期号: 3, 页码: 356-368 作者:  Chen, YT;  Chen, XZ;  Li, YM;  Zhang, H;  Xie, Y 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2016/03/29 low dose irradiation  C-12(6+)  X-ray  peripheral blood cells  alimentary tract cancer   Ferromagnetic nature of (Ga, Cr)As epilayers revealed by magnetic circular dichroism 期刊论文 solid state communications, 2011, 卷号: 151, 期号: 6, 页码: 456-459 Wu H; Gan HD; Zheng HZ; Lu J; Zhu H; Ji Y; Li GR; Zhao JH 收藏  |  浏览/下载：64/5  |  提交时间：2011/07/05 Magnetic semiconductors  Molecular beam epitaxy  Magneto-optical effects  TRANSPORT-PROPERTIES  SEMICONDUCTOR  (GA,CR)AS   Dynamics of dense spin ensemble excited in a barrier layer and detected in a well 期刊论文 science china-physics mechanics & astronomy, 2011, 卷号: 54, 期号: 6, 页码: 1108-1111 作者:  Zhu H;  Wang LG 收藏  |  浏览/下载：62/0  |  提交时间：2011/07/05 spin polarized transport  optical orientation  dense spin relaxation  quantum well  TRANSPORT   Influence of magnetocrystalline anisotropy on magneto-optics in GaMnAs/InGaAs epilayer 期刊论文 journal of infrared and millimeter waves, 2011, 卷号: 30, 期号: 1, 页码: 1-5 作者:  Zhu H;  Gan HD 收藏  |  浏览/下载：67/5  |  提交时间：2011/07/05 (Ga, Mn)As  magneto-optical effect  oscillation  magnetic anisotropic  (GA,MN)AS FILMS  SEMICONDUCTORS   Electronic band structures and electron spins of InAs/GaAs quantum dots induced by wetting-layer fluctuation 期刊论文 journal of applied physics, 2011, 卷号: 110, 期号: 5, 页码: 54320 Ning JQ; Xu SJ; Ruan XZ; Ji Y; Zheng HZ; Sheng WD; Liu HC 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/01/06 WELLS  RELAXATION  HOLE  PHOTOLUMINESCENCE  SEMICONDUCTORS  LOCALIZATION  TRANSITIONS  EXCITONS  CARRIERS  GROWTH   Stability of the positively charged manganese centre in GaAs heterostructures examined theoretically by the effective mass approximation calculation near the Gamma critical point 期刊论文 chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 10, 页码: 100301 Wang, LG; Shen, C; Zheng, HZ; Zhu, H; Zhao, JH 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2012/01/06 charged acceptor centre  screening effect  exchange interaction  SHALLOW ACCEPTOR STATES  GALLIUM-ARSENIDE  SEMICONDUCTORS  FIELD   Positively charged manganese acceptor disclosed by photoluminescence spectra in an n-i-p-i-n heterostructure with a Mn-doped GaAs base 期刊论文 journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 9, 页码: article no.93507 作者:  Wang LG;  Chen L;  Zhu H 收藏  |  浏览/下载：43/5  |  提交时间：2011/07/05 GALLIUM-ARSENIDE  SEMICONDUCTORS  FIELD   Influence of high-dose nitrogen implantation on the positive charge density of the buried oxide of silicon-on-insulator wafers 期刊论文 acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 5, 页码: article no.56104 作者:  Yu F 收藏  |  浏览/下载：93/6  |  提交时间：2011/07/06 separation by oxygen implantation  buried oxide  nitrogen implantation  positive charge density  RADIATION HARDNESS  IMPLANTING NITROGEN  ION-IMPLANTATION  IMPROVEMENT  TECHNOLOGY  OXYGEN  LAYER