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上海技术物理研究所 [4]
内容类型
专利 [4]
发表日期
2011 [4]
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发表日期:2011
专题:上海技术物理研究所
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一种显现碲锌镉红外衬底缺陷的等离子体刻蚀方法
专利
专利号: 201010182276.8, 申请日期: 2011-01-01, 公开日期: 2011-12-15
作者:
1 叶振华 2 尹文婷 3 王建新 4方维政5 杨建荣 6 陈昱7 林春8 胡晓宁9 丁瑞军 10 何力
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提交时间:2011/12/15
耐真空及高压有保护气体的可移动密封装置
专利
专利号: 200810204565.6, 申请日期: 2011-01-01, 公开日期: 2011-07-07
作者:
1杨建荣2 张传杰3 魏彦锋4徐庆庆
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提交时间:2011/07/07
汞提纯装置中高纯汞的取出装置及方法
专利
专利号: 200810204564.1, 申请日期: 2011-01-01, 公开日期: 2011-07-07
作者:
1杨建荣2 张传杰3 魏彦锋4徐庆庆
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2011/07/07
碲镉汞红外焦平面列阵器件钝化界面的植氢优化方法
专利
专利号: 200910198961.7, 申请日期: 2011-01-01, 公开日期: 2011-12-15
作者:
1 叶振华 2 黄建 3杨建荣4 尹文婷5 邢雯 6 林春 7 陈兴国 8 胡晓宁9 丁瑞军 10 何力
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提交时间:2011/12/15
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