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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2011    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Study of molecular-beam epitaxy growth on patterned gaas (1 0 0) substrates by masked indium ion implantation 期刊论文 Journal of crystal growth, 2011, 卷号: 318, 期号: 1, 页码: 572-575 作者:  Zhou, Huiying;  Qu, Shengchun;  Jin, Peng;  Xu, Bo;  Ye, Xiaoling 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2019/05/12 Atom force microscopy  Nanostructures  Molecular-beam epitaxy  Nanomaterials  Semiconducting gallium arsenide   Study of molecular-beam epitaxy growth on patterned GaAs (1 0 0) substrates by masked indium ion implantation 会议论文 16th international conference on crystal growth (iccg16)/14th international conference on vapor growth and epitaxy (icvge14), beijing, peoples r china, aug 08-13, 2010 阎Zhou HY (Zhou Huiying); Qu SC (Qu Shengchun); Jin P (Jin Peng); Xu B (Xu Bo); Ye XL (Ye Xiaoling); Liu JP (Liu Junpeng); Wang ZG (Wang Zhanguo) 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2011/07/26