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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2010    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Band crossing in isovalent semiconductor alloys with large size mismatch: first-principles calculations of the electronic structure of bi and n incorporated gaas 期刊论文 Physical review b, 2010, 卷号: 82, 期号: 19, 页码: 4 作者:  Deng, Hui-Xiong;  Li, Jingbo;  Li, Shu-Shen;  Peng, Haowei;  Xia, Jian-Bai 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/12 Influence of zns and mgo shell on the photoluminescence properties of zno core/shell nanowires 期刊论文 Journal of physical chemistry c, 2010, 卷号: 114, 期号: 3, 页码: 1467-1471 作者:  Meng, X. Q.;  Peng, Haowei;  Gai, Y. Q.;  Li, Jingbo 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2019/05/12 Band crossing in isovalent semiconductor alloys with large size mismatch: First-principles calculations of the electronic structure of Bi and N incorporated GaAs 期刊论文 physical review b, 2010, 卷号: 82, 期号: 19, 页码: art. no. 193204 Deng HX (Deng Hui-Xiong); Li JB (Li Jingbo); Li SS (Li Shu-Shen); Peng HW (Peng Haowei); Xia JB (Xia Jian-Bai); Wang LW (Wang Lin-Wang); Wei SH (Wei Su-Huai) 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2010/12/27 IMPURITIES  GAAS1-XNX  NITROGEN  GAINNAS  STATES  TRAPS