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科研机构
半导体研究所 [1]
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期刊论文 [1]
发表日期
2010 [1]
学科主题
半导体材料 [1]
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发表日期:2010
学科主题:半导体材料
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Measurement of w-InN/h-BN Heterojunction Band Offsets by X-Ray Photoemission Spectroscopy
期刊论文
nanoscale research letters, 2010, 卷号: 5, 期号: 8, 页码: 1340-1343
Liu JM (Liu J. M.)
;
Liu XL (Liu X. L.)
;
Xu XQ (Xu X. Q.)
;
Wang J (Wang J.)
;
Li CM (Li C. M.)
;
Wei HY (Wei H. Y.)
;
Yang SY (Yang S. Y.)
;
Zhu QS (Zhu Q. S.)
;
Fan YM (Fan Y. M.)
;
Zhang XW (Zhang X. W.)
;
Wang ZG (Wang Z. G.)
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提交时间:2010/08/17
Valence band offset
w-InN/h-BN heterojunction
X-ray photoelectron spectroscopy
Conduction band offset
Valence band offset
NEGATIVE ELECTRON-AFFINITY
INDIUM NITRIDE
WURTZITE GAN
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ALN
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