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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2009     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Unipolar resistive switching of Au+-implanted ZrO2 films 期刊论文 Journal of Semiconductors, 2009, 卷号: Vol.30 No.4, 页码: 042001 作者:  Guan Weihua;  Liu Ming;  Long Shibing;  Liu Qi;  Zhang Sen 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/04/22 Resistive switching characteristics of MnOx-based ReRAM 期刊论文 Journal of Physics. D: Applied Physics, 2009, 卷号: Vol.42 No.5, 页码: 55112-55115 作者:  Shibing Long;  Qi Liu;  Sen Zhang;  Qin Wang and Ming Liu;  Weihua Guan 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/04/24 Aluminum  Manganese  compounds  Metal  insulator  boundaries  Platinum  Random  access  storage  Structural  metals  Switching  systems   Resistive switching characteristics of MnOx-based ReRAM. 期刊论文 Journal of Physics: D Applied Physics, 2009, 卷号: Vol.42 No.5, 页码: 055112 作者:  Shibing Long;  Qi Liu;  Sen Zhang;  Ming Liu;  Qin Wang 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/04/24 Resistance random access semiconductor memories