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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2009    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Influence of penetrating v-pits on leakage current of gan based p-i-n uv detector 期刊论文 Acta physica sinica, 2009, 卷号: 58, 期号: 11, 页码: 7952-7957 作者:  Zhang Shuang;  Zhao De-Gang;  Liu Zong-Shun;  Zhu Jian-Jun;  Zhang Shu-Ming 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/05/12 Gan  Uv detector  V-pits  Leakage current   The effect of single AlGaN interlayer on the structural properties of GaN epilayers grown on Si (111) substrates 期刊论文 chinese physics b, 2009, 卷号: 18, 期号: 10, 页码: 4413-4417 Wu YX (Wu Yu-Xin); Zhu JJ (Zhu Jian-Jun); Zhao DG (Zhao De-Gang); Liu ZS (Liu Zong-Shun); Jiang DS (Jiang De-Sheng); Zhang SM (Zhang Shu-Ming); Wang YT (Wang Yu-Tian); Wang H (Wang Hui); Chen GF (Chen Gui-Feng); Yang H (Yang Hui) 收藏  |  浏览/下载：130/35  |  提交时间：2010/03/08 GaN   InGaN/GaN p-i-n Photodiodes Fabricated with Mg-Doped p-InGaN Layer 期刊论文 chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 10, 页码: art.no.107302 Wang H (Wang Hui); Zhu JH (Zhu Ji-Hong); Jiang DS (Jiang De-Sheng); Zhu JJ (Zhu Jian-Jun); Zhao DG (Zhao De-Gang); Liu ZS (Liu Zong-Shun); Zhang SM (Zhang Shu-Ming); Yang H (Yang Hui) 收藏  |  浏览/下载：157/39  |  提交时间：2010/03/08 TRANSPORT CHARACTERISTICS   Influence of penetrating V-pits on leakage current of GaN based p-i-n UV detector 期刊论文 acta physica sinica, 2009, 卷号: 58, 期号: 11, 页码: 7952-7957 Zhang S (Zhang Shuang); Zhao DG (Zhao De-Gang); Liu ZS (Liu Zong-Shun); Zhu JJ (Zhu Jian-Jun); Zhang SM (Zhang Shu-Ming); Wang YT (Wang Yu-Tian); Duan LH (Duan Li-Hong); Liu WB (Liu Wen-Bao); Jiang DS (Jiang De-Sheng); Yang H (Yang Hui) 收藏  |  浏览/下载：137/40  |  提交时间：2010/03/08 GaN