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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2009    学科主题：Physics    专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Forming-free colossal resistive switching effect in rare-earth-oxide Gd2O3 films for memristor applications 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2009, 卷号: 106, 期号: 7, 页码: 73723 Cao, X; Li, XM; Gao, XD; Yu, WD; Liu, XJ; Zhang, YW; Chen, LD; Cheng, XH（重点实验室） 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2013/05/10 Physics  Applied   Forming-free colossal resistive switching effect in rare-earth-oxide Gd2O3 films for memristor applications 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2009, 卷号: 106, 期号: 7, 页码: 73723-73723 Cao,X; Li,XM; Gao,XD; Yu,WD; Liu,XJ; Zhang,YW; Chen,LD; Cheng,XH 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/03/24 NONVOLATILE MEMORY  RESISTANCE  TRANSITION  SRTIO3