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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2008    专题：兰州大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 埋栅型静电感应器件研制中的外延技术 期刊论文 半导体技术, 2008, 期号: 5, 页码: 384-387 作者:  雷景丽;  李思渊;  李海蓉;  李海霞 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/04/27 工艺  外延层  反型  自掺杂   An SIT-BJT Operation Model for SITh in the Blocking State 期刊论文 半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors, 2008, 卷号: 29, 期号: 4, 页码: 645-649 作者:  Yang JH(杨建红);  Wang ZX(汪再兴);  Li SY(李思渊) 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/04/27 静电感应晶闸管  SIT-BJT等效模型  电流放大因子  Current amplification factor  Numerical simulation  SIT-BJT model  Static induction thyristor (SITh)  Theoretical analysis   Mechanism of Reverse Snapback on I-V Characteristics of Power SITHs with Buried Gate Structure 期刊论文 半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors, 2008, 卷号: 29, 期号: 3, 页码: 461-466 作者:  Wang YS(王永顺);  Li HR(李海蓉);  Wu R(吴蓉);  Li SY(李思渊) 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/04/27 电力静电感应晶闸管  反向转折  电子-空穴等离子体  寿命  注入水平  Electron hole plasma  Injection level  Lifetime  Power static induction thyristor (SITH)  Reverse snapback phenomena (RSP)   槽栅型肖特基势垒静电感应晶体管 期刊论文 半导体技术, 2008, 期号: 1, 页码: 65-67 作者:  杨涛;  刘肃;  李思渊;  王永顺;  李海蓉 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/04/27 静电感应晶体管  V形槽  等离子体增强化学气相淀积  肖特基势垒