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科研机构
上海微系统与信息技... [20]
内容类型
期刊论文 [20]
发表日期
2007 [20]
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发表日期:2007
专题:上海微系统与信息技术研究所
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95
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Te-free SiSb phase change material for high data retention phase change memory application
期刊论文
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS, 2007, 卷号: 46, 期号: 25-28, 页码: L602-L604
Zhang, T
;
Song, ZT
;
Wang, F
;
Liu, B
;
Feng, SL
;
Chen, B
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2012/03/24
Bias dependence of total dose effect of partially depleted SOI MOSFET
期刊论文
HIGH ENERGY PHYSICS AND NUCLEAR PHYSICS-CHINESE EDITION, 2007, 卷号: 31, 期号: 9, 页码: 819-822
Yu, WJ
;
Wang, R
;
Zhang, ZX
;
Qian, C
;
He, W
;
Tian, H
;
Chen, M
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2012/03/24
CMOS TECHNOLOGY
TRANSISTORS
Investigation of compositional gradient phase change SixSb2Te3 thin films
期刊论文
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS, 2007, 卷号: 46, 期号: 1-3, 页码: L70-L73
Zhang, T
;
Song, ZT
;
Liu, B
;
Feng, SL
;
Chen, B
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2012/03/24
GE2SB2TE5 FILM
CRYSTALLIZATION
IMPLANTATION
RESISTANCE
STORAGE
MEMORY
Ionizing dose effect of thermal oxides implanted with Si+ ions
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2007, 卷号: 24, 期号: 6, 页码: 1775-1777
Chen,M
;
Luo,HW
;
Zhang,ZX
;
Zhang,EX
;
Yang,H杨辉
;
Tian,H
;
Wang,R
;
Yu,WJ
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2012/03/24
HOLE
ELECTRON
DENSITY
SIMOX
Investigation of phase change Si(2)Sb(2)Te(5)material and its application in chalcogenide random access memory
期刊论文
SOLID-STATE ELECTRONICS, 2007, 卷号: 51, 期号: 6, 页码: 950-954
Zhang, T
;
Song, ZT
;
Liu, B
;
Feng, SL
;
Chen, BM
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提交时间:2012/03/24
THIN-FILM
GE2SB2TE5
Effects of Ge doping on the properties of Sb2Te3 phase-change thin films
期刊论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2007, 卷号: 253, 期号: 14, 页码: 6125-6129
Yu, JL
;
Liu, B
;
Zhang, T
;
Song, ZT
;
Feng, SL
;
Chen, BM
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2012/03/24
TRANSMISSION ELECTRON-MICROSCOPY
CHALCOGENIDE GLASSES
ANTIMONY TELLURIDE
SINGLE-CRYSTALS
MEMORY
GE2SB2TE5
CRYSTALLIZATION
TRANSITION
A preliminary study of a miniature planar 6-cell PEMFC stack combined with a small hydrogen storage canister
期刊论文
JOURNAL OF POWER SOURCES, 2007, 卷号: 166, 期号: 2, 页码: 441-444
Zhang, XG
;
Zheng, D
;
Wang, T
;
Chen, C
;
Cao, JY
;
Yan, J
;
Wang, WM
;
Liu, JY
;
Liu, HH
;
Tian, J
;
Li, XX
;
Yang, H
;
Xia, BJ
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提交时间:2011/12/17
METHANOL FUEL-CELL
SILICON-WAFER
FABRICATION
DESIGN
POWER
REFORMER
Advantages of SiSb phase-change material and its applications in phase-change memory
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2007, 卷号: 91, 期号: 22, 页码: 222102-222102
Zhang, T
;
Song, ZT
;
Wang, F
;
Liu, B
;
Feng, SL
;
Chen, B
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2012/03/24
FILMS
Ge1Sb2Te4 based chalcogenide random access memory array fabricated by 0.18-mu m CMOS technology
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2007, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 790-792
Zhang, T
;
Song, ZT
;
Feng, GM
;
Liu, B
;
Wu, LC
;
Feng, SL
;
Chen, B
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2012/03/24
THIN-FILMS
PHASE
CRYSTALLIZATION
ALLOYS
DEVICE
Effect of structural transformation on the electrical properties for Ge1Sb2Te4 thin film
期刊论文
THIN SOLID FILMS, 2007, 卷号: 516, 期号: 1, 页码: 42-46
Zhang, T
;
Song, ZT
;
Liu, B
;
Feng, GM
;
Feng, SL
;
Chen, BM
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2012/03/24
PHASE-CHANGE FILM
MEMORY
RESISTANCE
GESBTE
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