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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2006    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Evolution of the amount of inas in wetting layers in an inas/gaas quantum-dot system studied by reflectance difference spectroscopy 期刊论文 Nanotechnology, 2006, 卷号: 17, 期号: 9, 页码: 2207-2211 作者:  Chen, YH;  Jin, P;  Liang, LY;  Ye, XL;  Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/05/12 Electrical properties of B-doped polycrystalline silicon thin films prepared by rapid thermal chemical vapour deposition 期刊论文 thin solid films, 2006, 卷号: 497, 期号: 1-2, 页码: 157-162 Ai B; Shen H; Liang ZC; Chen Z; Kong GL; Liao XB 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2010/04/11 chemical vapour deposition  electrical properties and measurements  scanning electron microscopy  polycrystalline silicon  GRAIN-BOUNDARIES  STATES   Evolution of the amount of InAs in wetting layers in an InAs/GaAs quantum-dot system studied by reflectance difference spectroscopy 期刊论文 nanotechnology, 2006, 卷号: 17, 期号: 9, 页码: 2207-2211 作者:  Jin P;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2010/04/11 SCANNING-TUNNELING-MICROSCOPY  ANISOTROPY SPECTROSCOPY  GROWTH  GAAS  SURFACES  ALAS