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科研机构
半导体研究所 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
2006 [1]
学科主题
半导体物理 [1]
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发表日期:2006
学科主题:半导体物理
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Photoluminescence from the nitrogen-perturbed above-bandgap states in dilute GaAs1-xNx alloys: A microphotoluminescence study
期刊论文
physical review b, 2006, 卷号: 73, 期号: 20, 页码: art.no.205205
Tan PH (Tan P. H.)
;
Luo XD (Luo X. D.)
;
Xu ZY (Xu Z. Y.)
;
Zhang Y (Zhang Y.)
;
Mascarenhas A (Mascarenhas A.)
;
Xin HP (Xin H. P.)
;
Tu CW (Tu C. W.)
;
Ge WK (Ge W. K.)
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提交时间:2010/04/11
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