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浏览/检索结果: 共55条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2003    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effect of a low-temperature thin buffer layer on the strain accommodation of in0.25ga0.75as grown on a gaas(001) substrate 期刊论文 Semiconductor science and technology, 2003, 卷号: 18, 期号: 11, 页码: 955-959 作者:  Zhang, ZC;  Chen, YH;  Yang, SY;  Zhang, FQ;  Ma, BS 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/05/12 Influence of high-temperature ain buffer thickness on the properties of gan grown on si(111) 期刊论文 Journal of crystal growth, 2003, 卷号: 258, 期号: 1-2, 页码: 34-40 作者:  Zhang, BS;  Wu, M;  Shen, XM;  Chen, J;  Zhu, JJ 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/05/12 Metalorganic chemical vapor deposition  Nitrides  Semiconductor iii-v materials   Strain accommodation of 3c-sic grown on hydrogen-implanted si (001) substrate 期刊论文 Journal of crystal growth, 2003, 卷号: 257, 期号: 3-4, 页码: 321-325 作者:  Zhang, ZC;  Chen, YH;  Li, DB;  Zhang, FQ;  Yang, SY 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/05/12 Substrate  Heteroepitaxy  Low pressure chemical vapor deposition  Semiconducting silicon carbide   Fabrication of hexagonal gallium nitride films on silicon(111) substrates 期刊论文 Rare metals, 2003, 卷号: 22, 期号: 3, 页码: 221-225 作者:  Yang, L;  Xue, CS;  Wang, CM;  Li, HX;  Ren, YW 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12 Semiconductor materials  Gan films  Electrophoresis  Ga2o3   Influences of reactor pressure of gan buffer layers on morphological evolution of gan grown by mocvd 期刊论文 Journal of crystal growth, 2003, 卷号: 256, 期号: 3-4, 页码: 248-253 作者:  Chen, J;  Zhang, SM;  Zhang, BS;  Zhu, JJ;  Shen, XM 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12 In situ laser reflectometry  Lateral overgrowths  Surface morphology  Metalorganic chemical vapor deposition  Gan   Conditions for the local manipulation of all bipartite gaussian states 期刊论文 Physical review a, 2003, 卷号: 68, 期号: 2, 页码: 4 作者:  Wang, L;  Li, SS;  Yang, FH;  Niu, ZC;  Feng, SL 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/05/12 Thickness measurement of gan epilayer using high resolution x-ray diffraction technique 期刊论文 Science in china series g-physics astronomy, 2003, 卷号: 46, 期号: 4, 页码: 437-440 作者:  Feng, G;  Zhu, JJ;  Shen, XM;  Zhang, BS;  Zhao, DG 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/05/12 Gan  X-ray diffraction  Thickness   In0.25ga0.75as films growth on the thin gaas/alas buffer layer on the gaas(001) substrate 期刊论文 Applied surface science, 2003, 卷号: 217, 期号: 1-4, 页码: 268-274 作者:  Zhang, ZC;  Yang, SY;  Zhang, FQ;  Xu, B;  Zeng, YP 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Strain  Dislocation  Interfaces  Molecular beam epitaxy  Semiconductor iii-v materials   Growth of gan nanowires through nitridation ga2o3 films deposited by electrophoresis 期刊论文 Applied surface science, 2003, 卷号: 217, 期号: 1-4, 页码: 78-81 作者:  Xue, CS;  Yang, L;  Wang, CM;  Zhuang, HZ 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Nitridation  Gan nanowires  Electrophoresis  Ga2o3 films   Effects of reactor pressure on gan nucleation layers and subsequent gan epilayers grown on sapphire substrate 期刊论文 Journal of crystal growth, 2003, 卷号: 254, 期号: 3-4, 页码: 348-352 作者:  Chen, J;  Zhang, SM;  Zhang, BS;  Zhu, JJ;  Feng, G 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 In situ laser reflectometry  Lateral overgrowth  Metalorganic chemical vapor deposition  Gan