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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2002    学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Mechanisms of the sidewall facet evolution in lateral epitaxial overgrowth of GaN by MOCVD 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2002, 卷号: 35, 期号: 21, 页码: 2731-2734 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2010/08/12 VAPOR-PHASE EPITAXY  DEPOSITION  LAYERS  FILMS   Interlayer segregation of Cu atoms in Ta/NiFe/Cu/NiFe/FeMn/Ta spin-valve multilayers and its influence on magnetic properties 期刊论文 journal of applied physics, 2002, 卷号: 91, 期号: 6, 页码: 3759-3763 Yu GH; Li MH; Zhu FW; Li QK; Zhang Y; Chai CL; Jiang HW; Lai WY 收藏  |  浏览/下载：86/1  |  提交时间：2010/08/12 EXCHANGE BIAS  GIANT MAGNETORESISTANCE  UNIDIRECTIONAL ANISOTROPY  FILMS  BILAYERS  LAYERS  FIELD  MODEL  DEPENDENCE  INTERFACES   Depth dependence of the tetragonal distortion of a GaN layer on Si(111) studied by Rutherford backscattering/channeling 期刊论文 applied physics letters, 2002, 卷号: 80, 期号: 22, 页码: 4130-4132 Wu MF; Chen CC; Zhu DZ; Zhou SQ; Vantomme A; Langouche G; Zhang BS; Yang H 收藏  |  浏览/下载：65/0  |  提交时间：2010/08/12 X-RAY-DIFFRACTION  ELASTIC STRAIN  INGAN