×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [3]
内容类型
期刊论文 [2]
会议论文 [1]
发表日期
2001 [3]
学科主题
半导体物理 [3]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共3条,第1-3条
帮助
限定条件
发表日期:2001
学科主题:半导体物理
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Effects of rapid thermal annealing and SiO2 encapsulation on GaNAs/GaAs single quantum wells grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy
期刊论文
applied physics letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 17, 页码: 2488-2490
作者:
Xu YQ
收藏
  |  
浏览/下载:68/3
  |  
提交时间:2010/08/12
1.3 MU-M
OPTICAL-PROPERTIES
BAND-GAP
SUPERLATTICES
LASERS
GAAS
High-temperature characteristics of GaInNAs/GaAs single-quantum-well lasers grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy
期刊论文
chinese physics letters, 2001, 卷号: 18, 期号: 5, 页码: 659-661
Pan Z
;
Li LH
;
Du Y
;
Lin YW
;
Wu RH
收藏
  |  
浏览/下载:69/4
  |  
提交时间:2010/08/12
SURFACE-EMITTING LASER
OPERATION
RANGE
Optical transitions and type-II band lineup of MBE-grown GaNAs/GaAs single-quantum-well structures
会议论文
11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000
作者:
Jiang DS
收藏
  |  
浏览/下载:11/0
  |  
提交时间:2010/11/15
molecular beam epitaxy
quantum wells
semiconducting IIIV materials
LUMINESCENCE
GAASN
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace