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科研机构
半导体研究所 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2001 [3]
学科主题
半导体物理 [3]
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发表日期:2001
学科主题:半导体物理
内容类型:期刊论文
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The keys to get high transconductance of AlGaAs/InGaAs/GaAs pseudomorphic HEMTs devices
期刊论文
solid-state electronics, 2001, 卷号: 45, 期号: 5, 页码: 751-754
Cao X
;
Zeng YP
;
Kong MY
;
Pan L
;
Wang BQ
;
Zhu ZP
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浏览/下载:103/6
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提交时间:2010/08/12
molecular beam epitaxy
pseudomorphic HEMTs
photoluminescence
Longitudinal optic phonon-plasmon coupling in delta-doped metamorphic InAlAs/InGaAs high-electron-mobility transistor structures on GaAs substrates
期刊论文
applied physics letters, 2001, 卷号: 79, 期号: 9, 页码: 1375-1377
Jiang CP
;
Huang ZM
;
Li ZF
;
Yu J
;
Guo SL
;
Lu W
;
Chu JH
;
Cui LJ
;
Zeng YP
;
Zhu ZP
;
Wang BQ
收藏
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浏览/下载:76/2
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提交时间:2010/08/12
QUANTUM-WELLS
ACCUMULATION LAYER
RAMAN-SCATTERING
EXCITATIONS
GA1-XINXAS
SPECTRA
Subband electron properties of highly doped InAlAs/InGaAs metamorphic high-electron-mobility transistors on GaAs substrates
期刊论文
applied physics letters, 2001, 卷号: 79, 期号: 12, 页码: 1909-1911
Jiang CP
;
Huang ZM
;
Guo SL
;
Chu JH
;
Cui LJ
;
Zeng YP
;
Zhu ZP
;
Wang BQ
收藏
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浏览/下载:125/9
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提交时间:2010/08/12
HIGH-PERFORMANCE
HEMTS
HETEROSTRUCTURES
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