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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：1998    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Asymmetry in the vertically aligned growth induced InAs islands in GaAs 期刊论文 chinese physics letters, 1998, 卷号: 15, 期号: 7, 页码: 519-521 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  QUANTUM DOTS  GAAS(100)  PHOTOLUMINESCENCE  STAGE   Asymmetry in the vertically aligned growth induced inas islands in gaas 期刊论文 Chinese physics letters, 1998, 卷号: 15, 期号: 7, 页码: 519-521 作者:  Gong, Q;  Wu, J;  Xu, B;  Liang, JB;  Fan, TW 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/05/12