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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：1997    学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Molecular beam epitaxy growth of Iny2Al1-y2As/In0.73Ga0.27As/Iny1Al1-y1As/InP P-HEMTs with enhancement conductivity using an intentional nonlattice-matched buffer layer 期刊论文 journal of vacuum science & technology b, 1997, 卷号: 15, 期号: 6, 页码: 2021-2025 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/08/12 HETEROSTRUCTURES   The third subband population in modulation-doped InGaAs/InAlAs heterostructures 期刊论文 journal of applied physics, 1997, 卷号: 82, 期号: 12, 页码: 6107-6109 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2010/08/12 MULTIPLE-QUANTUM WELLS  PHOTOLUMINESCENCE SPECTROSCOPY  TRANSISTOR STRUCTURES  ELECTRON  TEMPERATURE  DENSITY