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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：1993     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Method for fabricating a semiconductor laser device using (AlxGa1-x)yIn1-yP semiconductor clad layers 专利 专利号: US5194400, 申请日期: 1993-03-16, 公开日期: 1993-03-16 作者:  TAKAMORI, AKIRA;  IDOTA, KEN;  UCHIYAMA, KIYOSHI;  NAKAJIMA, MASATO 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/26 Method for fabricating a semiconductor laser device in which the P-type clad layer and the active layer are grown at different rates 专利 专利号: US5190891, 申请日期: 1993-03-02, 公开日期: 1993-03-02 作者:  YOKOTSUKA, TATSUO;  TAKAMORI, AKIRA;  NAKAJIMA, MASATO;  SUZUKI, TOMOKO 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/26