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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：兰州化学物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Formation energies of substitutional N-As and split interstitial complexes in dilute GaAsN alloys with different growth orientations 期刊论文 Applied Physics A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2018, 卷号: 124, 期号: 2, 页码: 108(1-5) 作者:  Li J(李健);  Han XX(韩修训);  Dong C(董琛);  Fan, Changzeng;  Han XX(韩修训) 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2018/06/11 (n11)取向GaAsN外延材料的Si掺杂行为及肖特基接触特性研究 学位论文 工程硕士, 北京: 中国科学院大学, 2016 作者:  董琛 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2016/11/24 GaAsN  生长取向  外延生长  光电特性  Growth orientation  Epitaxial growth  Optoelectronic characteristics   Electrical characterization of Cu Schottky contacts to n-type GaAsN grown on (311)A/B GaAs substrates 期刊论文 Journal of Alloys and Compounds, 2016, 卷号: 657, 页码: 325-329 作者:  Dong C(董琛);  Han XX(韩修训);  Gao, Xin;  Yoshio Ohshita;  Masafumi Yamaguchi 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2015/12/30 GaAsN  Schottky diode  Growth orientation  I-V characteristics  C-V characteristics  Electrical properties   Impact of the substrate orientation on the N incorporation in GaAsN: Theoretical and experimental investigations 期刊论文 Journal of Alloys and Compounds, 2016, 卷号: 687, 页码: 42-46 作者:  Li J(李健);  Han XX(韩修训);  Dong C(董琛);  Fan ZZ(范长增);  Yoshio Ohshita 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2016/10/25 GaAsN  First principle calculation  N incorporation  Growth orientation  Chemical potentials   Growth orientation dependence of Si doping in GaAsN 期刊论文 Journal of Applied Physics, 2015, 卷号: 117, 期号: 5, 页码: 055706(1-4) 作者:  Han XX(韩修训);  Dong C(董琛);  Feng, Qiang;  Ohshita, Yoshio;  Yamaguchi, Masafumi 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2015/12/30