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Ⅲ-Ⅴ族半导体材料及AlGaN/GaN HEMT器件辐照效应研究 学位论文
中国科学院大学: 中国科学院大学(中国科学院近代物理研究所), 2019
作者:  胡培培
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辐照离子注量率对单粒子效应影响研究 及微通道板离子探测器研制 学位论文
北京: 中国科学院大学;中国科学院近代物理研究所, 2018
作者:  罗捷
收藏  |  浏览/下载:16/0  |  提交时间:2018/12/28


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