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| ZnSe系化合物半導体レーザの製造方法 专利
专利号: JP4040135B2, 申请日期: 2007-11-16, 公开日期: 2008-01-30
作者: 西野 勇; 梅津 一之; 佐川 徹
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| 半導体発光素子及びその製造方法 专利
专利号: JP3708213B2, 申请日期: 2005-08-12, 公开日期: 2005-10-19
作者: 横川 俊哉; 熊渕 康仁
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| 半導体構造体および半導体装置の製造方法 专利
专利号: JP3475637B2, 申请日期: 2003-09-26, 公开日期: 2003-12-08
作者: 横川 俊哉; 吉井 重雄
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| 半導体エピタキシャル成長方法 专利
专利号: JP3325721B2, 申请日期: 2002-07-05, 公开日期: 2002-09-17
作者: 久保 実; 西川 孝司; 佐々井 洋一
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| 半導体層の成長方法、半導体装置の製造方法、半導体発光素子およびその製造方法 专利
专利号: JP2000208876A, 申请日期: 2000-07-28, 公开日期: 2000-07-28
作者: 加藤 豪作; 伊藤 哲
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| 半導体発光素子 专利
专利号: JP1999150332A, 申请日期: 1999-06-02, 公开日期: 1999-06-02
作者: 奥山 浩之; 喜嶋 悟
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| 半導体素子 专利
专利号: JP1999112082A, 申请日期: 1999-04-23, 公开日期: 1999-04-23
作者: 西川 孝司; 宮永 良子; 吉井 重雄; 齋藤 徹; 上山 智
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| 半導体発光素子およびその製造方法 专利
专利号: JP1998303514A, 申请日期: 1998-11-13, 公开日期: 1998-11-13
作者: 佐々井 洋一; 上山 智; 齋藤 徹; 辻村 歩; 西川 孝司
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| Semiconductor light emitting device and method for fabricating the same 专利
专利号: US5822347, 申请日期: 1998-10-13, 公开日期: 1998-10-13
作者: YOKOGAWA, TOSHIYA; YOSHII, SHIGEO; SASAI, YOICHI
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| 半導体発光素子およびその製造方法 专利
专利号: JP1998209572A, 申请日期: 1998-08-07, 公开日期: 1998-08-07
作者: 上山 智; 辻村 歩; 西川 孝司
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