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Medium and High Voltage IGBT Module Using Nanosilver Paste Sintering Technology and Its Performance Characterization 期刊论文
Gaodianya Jishu/High Voltage Engineering, 2017, 卷号: 43, 期号: 10, 页码: 3307-3312
作者:  Mei, Yunhui;  Feng, Jingjing;  Wang, Xiaomin;  Lu, Guoquan;  Zhang, Peng
收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2018/12/12
Optische Anordnung zur Symmetrierung der Strahlung eines oder mehrerer übereinander angeordneter Hochleistungsdiodenlaser 专利
专利号: DE19800590B4, 申请日期: 2005-12-01, 公开日期: 2005-12-01
作者:  GÖRING ROLF;  HEINEMANN STEFAN;  NICKEL MICHAEL;  RÖLLIG ULRICH;  SCHREIBER PETER
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/23
Nitride-based VCSEL or light emitting diode with p-n tunnel junction current injection 专利
专利号: US6515308, 申请日期: 2003-02-04, 公开日期: 2003-02-04
作者:  KNEISSL, MICHAEL A.;  KIESEL, PETER;  VAN DE WALLE, CHRISTIAN G.
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/26
MOCVD-grown InGaAsN using efficient and novel precursor, tertibutylhydrazine, for optoelectronic and electronic device applications 专利
专利号: US20020102847A1, 申请日期: 2002-08-01, 公开日期: 2002-08-01
作者:  SHARPS, PAUL R.;  HOU, HONG QI;  LI, NEIN-YI;  KANJOLIA, RAVI
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Semiconductor laser device 专利
专利号: JP1991161988A, 申请日期: 1991-07-11, 公开日期: 1991-07-11
作者:  HONDA MASAHARU;  HAMADA HIROYOSHI;  SHONO MASAYUKI
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Semiconductor laser 专利
专利号: JP1991073585A, 申请日期: 1991-03-28, 公开日期: 1991-03-28
作者:  UNOSAWA HIROKIYO
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/13
- 专利
专利号: JP1990006239B2, 申请日期: 1990-02-08, 公开日期: 1990-02-08
作者:  HIUGA SUSUMU
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2020/01/18
- 专利
专利号: JP1989037869B2, 申请日期: 1989-08-09, 公开日期: 1989-08-09
作者:  MUSHIGAMI MASAHITO;  TANAKA HARUO;  ISHIDA JUJI
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2020/01/13
Manufacture of semiconductor device 专利
专利号: JP1989082590A, 申请日期: 1989-03-28, 公开日期: 1989-03-28
作者:  HATTORI AKIRA
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/18
Semiconductor laser 专利
专利号: JP1989025592A, 申请日期: 1989-01-27, 公开日期: 1989-01-27
作者:  ISHIGURO NAGATAKA
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