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Preparation and characterization of self-cleaning and anti-reflection ZnO-SiO2 nanometric films 期刊论文
acta physica sinica, 2016, 卷号: 65, 期号: 6
作者:  Guo Zhao-Long;  Zhao Hai-Xin;  Zhao Wei
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Method of zinc oxide film grown on the epitaxial lateral overgrowth gallium nitride template 专利
专利号: US7951639, 申请日期: 2011-05-31, 公开日期: 2011-05-31
作者:  CHUA, SOON JIN;  ZHOU, HAILONG;  LIN, JIANYI;  PAN, HUI
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Method of zinc oxide film grown on the epitaxial lateral overgrowth gallium nitride template 专利
专利号: SG147120A1, 申请日期: 2011-04-29, 公开日期: 2008-11-28
作者:  CHUA, SOO JIN;  ZHOU, HAILONG;  LIN, JIANYI;  PAN, HUI
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面発光半導体レーザ及びその製造方法 专利
专利号: JP2880788B2, 申请日期: 1999-01-29, 公开日期: 1999-04-12
作者:  上野 芳康
收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2019/12/26
面発光型半導体レーザの製造方法 专利
专利号: JP2864258B2, 申请日期: 1998-12-18, 公开日期: 1999-03-03
作者:  古沢 浩太郎;  茨木 晃;  川島 健児;  石川 徹
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Semiconductor laser including disordered window regions 专利
专利号: US5764669, 申请日期: 1998-06-09, 公开日期: 1998-06-09
作者:  NAGAI, YUTAKA
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光半導体素子の製造方法 专利
专利号: JP2725449B2, 申请日期: 1997-12-05, 公开日期: 1998-03-11
作者:  北村 光弘;  佐々木 達也
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半導体素子 专利
专利号: JP2641484B2, 申请日期: 1997-05-02, 公开日期: 1997-08-13
作者:  近藤 正彦;  皆川 重量
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超格子の混晶化法 专利
专利号: JP2533581B2, 申请日期: 1996-06-27, 公开日期: 1996-09-11
作者:  宮澤 丈夫
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多重量子井戸型光双安定半導体レ-ザ 专利
专利号: JP2518255B2, 申请日期: 1996-05-17, 公开日期: 1996-07-24
作者:  小田切 雄一
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