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科研机构
上海技术物理研究所 [6]
内容类型
学位论文 [5]
专利 [1]
发表日期
2013 [1]
2011 [1]
2008 [2]
2007 [2]
学科主题
红外探测材料与器件 [3]
红外基础研究 [2]
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光激发微分电容法测定低背景载流子浓度的方法
专利
专利号: 201110008829.2, 申请日期: 2013-01-01, 公开日期: 2013-12-20
作者:
1李天信 2夏辉 3 陆卫 4殷豪 5黄文超 6王文娟 7胡伟达8李宁 9陈平平 10李志峰 11陈效双
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2013/12/20
AlGaN p-i-n型日盲探测器及AlGaN/PZT紫外/红外双色器件研究
学位论文
: 中国科学院研究生院, 2011
作者:
李超
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2012/09/11
吸收系数
欧姆接触
二维空穴气
Algan P-i-n型日盲探测器
紫外/红外双色
HgCdTe双层组分异质结技术及其性能评价
学位论文
: 中国科学院研究生院, 2008
作者:
焦翠灵
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2012/08/22
Hgcdte
液相外延
双层组分异质结
化学染色法
红外透射光谱
X光衍射
双晶半峰宽
晶格失配
探测率
HgCdTe光伏探测器与背景红外辐射变化的关系研究
学位论文
: 中国科学院研究生院, 2008
作者:
王晨飞
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2012/08/22
Hgcdte
碰撞电离
微孔冷屏
背景抑制
双面光刻
掺杂碲镉汞中长波红外发光和吸收谱研究
学位论文
: 中国科学院研究生院, 2007
作者:
越方禹
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2012/08/14
碲镉汞
外延薄膜
砷掺杂
反常吸收
步进扫描
调制光致发光
光电功能材料的量子态特性研究
学位论文
: 中国科学院研究生院, 2007
作者:
王茺
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2012/08/14
光电功能材料
介电函数
压电调制光谱
光调制光谱
量子态
应变量子阱
Inas/ingaas量子点
光致发光光谱
Ganxas1-x合金薄膜
弧线形效应
锰氧化物p-n结
量子干涉效应
正磁电阻
标度理论
相干长度
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