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半导体研究所 [5]
内容类型
期刊论文 [5]
发表日期
2010 [1]
2009 [2]
2007 [1]
2000 [1]
学科主题
光电子学 [2]
半导体物理 [2]
半导体材料 [1]
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Optically controlled quantum dot gated transistors with high on/off ratio
期刊论文
applied physics letters, 2010, 卷号: 96, 期号: 8, 页码: art. no. 083503
Yang XH (Yang Xiaohong)
;
Xu XL (Xu Xiulai)
;
Wang XP (Wang Xiuping)
;
Ni HQ (Ni Haiqiao)
;
Han Q (Han Qin)
;
Niu ZC (Niu Zhichuan)
;
Williams DA (Williams David A.)
收藏
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浏览/下载:69/2
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提交时间:2010/04/22
III-V semiconductors
indium compounds
laser beam applications
nanoelectronics
photoelectric devices
photoelectricity
phototransistors
semiconductor quantum dots
I-N JUNCTIONS
Fine structural splitting and exciton spin relaxation in single InAs quantum dots
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 10, 页码: art. no. 103516
Dou XM
;
Sun BQ
;
Xiong YH
;
Niu ZC
;
Ni HQ
;
Xu ZY
收藏
  |  
浏览/下载:99/0
  |  
提交时间:2010/03/08
deformation
excitons
fine structure
III-V semiconductors
indium compounds
phonons
photoluminescence
semiconductor quantum dots
spin dynamics
Enhanced infrared emission from colloidal HgTe nanocrystal quantum dots on silicon-on-insulator photonic crystals
期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 5, 页码: art. no. 053107
作者:
Tan PH
;
Liu J
收藏
  |  
浏览/下载:63/1
  |  
提交时间:2010/03/08
colloidal crystals
II-VI semiconductors
infrared spectra
mercury compounds
nanostructured materials
photoluminescence
photonic crystals
semiconductor quantum dots
silicon-on-insulator
Scanning electron microscopy observation of in-device InAs/AlAs quantum dots by selective etching of capping layers
期刊论文
modern physics letters b, 2007, 卷号: 21, 期号: 14, 页码: 859-866
Sun, J
;
Zhou, DY
;
Li, RY
;
Zhao, C
;
Ye, XL
;
Xu, B
;
Chen, YH
;
Wang, ZG
收藏
  |  
浏览/下载:65/5
  |  
提交时间:2010/03/08
III-V semiconductors
quantum dots
scanning electron microscopy
selective etching
Study of rapid carrier capture and relaxation in InAs/GaAs heterostructures
期刊论文
journal of infrared and millimeter waves, 2000, 卷号: 19, 期号: 5, 页码: 343-346
Li Q
;
Xu ZY
;
Ge WK
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浏览/下载:53/0
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提交时间:2010/08/12
ultrafast spectroscopy
low-dimension heterostructure
III-V semiconductors
QUANTUM DOTS
ELECTRON RELAXATION
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