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浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Characteristics of heat generation in a quantum dot 期刊论文 Physical review b, 2011, 卷号: 83, 期号: 19, 页码: 6 作者:  Zhou, Li-Ling;  Li, Shu Shen;  Wei, Jian Ning;  Wang, Shao Qin 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/05/12 Characteristics of heat generation in a quantum dot 期刊论文 physical review b, 2011, 卷号: 83, 期号: 19, 页码: article no.195303 Zhou LL; Li SS; Wei JN; Wang SQ 收藏  |  浏览/下载：61/5  |  提交时间：2011/07/05 NANOSCALE CONDUCTORS  POWER DISSIPATION  JUNCTIONS  TRANSPORT   Low heat and high efficiency nd:gdvo4 laser pumped by 913 nm 期刊论文 Laser physics letters, 2010, 卷号: 7, 期号: 8, 页码: 579-582 作者:  Ma, J. L.;  Xiong, B.;  Guo, L.;  Zhao, P. F.;  Zhang, L. 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12 Lasers  High efficiency  Low heat  Nd:gdvo4   Passively q-switched mode-locking of diode-pumped nd : yvo4 laser with gaas intracavity absorber grown at low temperature 期刊论文 European physical journal-applied physics, 2007, 卷号: 39, 期号: 3, 页码: 233-236 作者:  Liu, J.;  Li, L.;  Liu, S.;  Liu, Min;  Wang, Y.-G. 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Passively Q-switched mode-locking of diode-pumped Nd : YVO4 laser with GaAs intracavity absorber grown at low temperature 期刊论文 european physical journal-applied physics, 2007, 卷号: 39, 期号: 3, 页码: 233-236 Liu, J (Liu, J.); Li, L (Li, L.); Liu, S (Liu, S.); Liu, M (Liu, Min); Wang, YG (Wang, Y.-G.) 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2010/03/29 ND-YAG LASER   A 4x4 strictly nonblocking silicon-on-insulator thermo-optic switch matrix 期刊论文 Chinese physics letters, 2005, 卷号: 22, 期号: 6, 页码: 1446-1448 作者:  Yang, D;  Li, YP;  Chen, SW;  Yu, JZ 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12 A 4x4 strictly nonblocking silicon-on-insulator thermo-optic switch matrix 期刊论文 chinese physics letters, 2005, 卷号: 22, 期号: 6, 页码: 1446-1448 Yang D; Li YP; Chen SW; Yu JZ 收藏  |  浏览/下载：63/12  |  提交时间：2010/03/17 WAVE-GUIDE SWITCH   Design consideration and performance of high-power and high-brightness ingaas-ingaasp-algaas quantum-well diode lasers (lambda=0.98 mu m) 期刊论文 Ieee journal of selected topics in quantum electronics, 2000, 卷号: 6, 期号: 4, 页码: 577-584 作者:  Yang, GW;  Hwu, RJ;  Xu, ZT;  Ma, XY 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/05/12 Quantum-well lasers  Semiconductor diodes  Semiconductor epitaxial layers  Semiconductor lasers  Semiconductor materials   Room temperature (34 degrees C) operation of strain-compensated quantum cascade lasers 期刊论文 electronics letters, 2000, 卷号: 36, 期号: 20, 页码: 1704-1706 作者:  Wang ZG;  Jiang DS;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2010/08/12 MU-M   Design consideration and performance of high-power and high-brightness InGaAs-InGaAsP-AlGaAs quantum-well diode lasers (lambda=0.98 mu m) 期刊论文 ieee journal of selected topics in quantum electronics, 2000, 卷号: 6, 期号: 4, 页码: 577-584 Yang GW; Hwu RJ; Xu ZT; Ma XY 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum-well lasers  semiconductor diodes  semiconductor epitaxial layers  semiconductor lasers  semiconductor materials  OPERATION  SINGLE