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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Photoinduced voltage shift in a three-barrier, two-well resonant tunneling structure integrated with a 1.2-mu m-thick n-type gaas layer 期刊论文 Physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2005, 卷号: 28, 期号: 3, 页码: 242-246 作者:  Zhou, X;  Zheng, HZ;  Li, GR;  Hu, B;  Gan, HD 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/12 Photoinduced  Voltage shift  Resonant tunneling structure   Photoinduced voltage shift in a three-barrier, two-well resonant tunneling structure integrated with a 1.2-mu m-thick n-type GaAs layer 期刊论文 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2005, 卷号: 28, 期号: 3, 页码: 242-246 Zhou, X; Zheng, HZ; Li, GR; Hu, B; Gan, HD; Zhu, H 收藏  |  浏览/下载：45/19  |  提交时间：2010/03/17 photoinduced